CMP抛光液
WEC CMP-A1抛光液包含奈米级SiO2磨料，拥有优良的物理和化学性质，适用于多种材料奈米级的高平坦化抛光，pH介于9~10，能快速移除物料表面因前制程精磨所留下的浅划痕。
搭配耐磨耗抛光垫(WEC-PAD)，适用于生产制造卓越完工表面的电子组件、精密光学玻璃、硅晶圆基板、锗基板、砷化镓、磷化铟，蓝宝石基板等抛光加工。其它先进的结构陶瓷材料。
粒度范围 : 30~200 nm
应用
可使用于软或硬材质之抛光工作，如硅晶圆，碲化镉，砷化镓，陶瓷玻璃，玻璃，石英，蓝宝石与金属等。
规格
在CMP的制程中，有两个最主要的耗材。
它们决定了整个CMP成败的关键。
ü抛光液 (WEC-CMP-A1 )
ü抛光垫 (WEC- PAD)
型号 |
CMP-A1 |
外观 |
白色液体 |
固化比 |
40±2% |
沸点 |
100℃ |
比重(水=1) |
1.3±0.2 Kg/m3（20 ℃） |
黏度(cp) /温度 (25℃) |
＜50mPa.s |
酸碱值 |
pH=9~11 |
磨料粒度 |
Mean ≒ 80nm |
磨料 |
SiO2 |
完工表面Ra |
0.35~0.48nm |
稀释比例 |
1：1 |
测试参数 |
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设备种类 |
36” 单面抛光 |
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工件 |
4”蓝宝石 x 12 片 |
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治具 |
无蜡吸附垫 + 360 陶瓷盘 |
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轴数 |
2 |
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压力 |
0.35 kg/cm² |
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盘速 (RPM) |
60 |
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流量(Liter/min.) |
20 |
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温度 (℃) |
39~41 |
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抛光液稀释比 |
1:1 (固化比20%) |
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